yotijar IBT-4 Mosfet Srednjoj Trenutni (5-15V/50A) H Most

Proizvod Ime : NPN Možda;Model Ne : SB10150 FCT;Montirane Tip : Kroz Rupu.Kolekcionar Trenutni : 10;Kolekcionar Emiter Napon : 150 V;Spremaju se Rupu Promjeru : 3mm / 0.12".Pin Dužina :

Mosfet Niz 2 NKanal (Dvojno) 20 V 8 3.1 W Površinu Mount 8SOProduct Specifikacija : Kategorija : Diskretno Poluprovodnički Proizvoda, Tranzistora FETs, MOSFETs Arrays Mfr : Vishay Sili

Čips Vrata, osnovao u 2010., je profesionalac kupovinu B2 B & B2 C alat u elektronske komponente polje.Imamo više od 200,000 linije u dionice i oni mogu biti dostavljene u 1 do 3 posao dan

Proizvod Ime : NPN Možda;Model Ne : IRF840;Montirane Tip : Kroz Rupu.Paket : NA 220;Moć : 8, 500 V;rd_s(O) : 0.8 OMSKA.VGS : 10 V;Spremaju se Rupu Promjeru : za 3,3 mm 0.13";Pin Dužina :

Proizvod Specifikacija : Kategorija : Diskretno Poluprovodnički Proizvoda, Tranzistora FETs, MOSFETs Single Mfr : Fairchild Semiconductor Series : Paket : Bulk Part Stat: Active Ro H

Čips Vrata, osnovao u 2010., je profesionalac kupovinu B2 B & B2 C alat u elektronske komponente polje.Imamo više od 200,000 linije u dionice i oni mogu biti dostavljene u 1 do 3 posao dan

Čips Vrata, osnovao u 2010., je profesionalac kupovinu B2 B & B2 C alat u elektronske komponente polje.Imamo više od 200,000 linije u dionice i oni mogu biti dostavljene u 1 do 3 posao dan

Proizvod Specifikacija : Kategorija : Diskretno Poluprovodnički Proizvoda, Tranzistora FETs, MOSFETs Single Mfr : NA Semiconductor Series : Paket : Bulk Part Stat: Active Ro HS Stat:

Type Bipolar Transistor : Mali Signal.Transistor Polarity : NPN.Power Dissipation AmbientMax : 2 W Kolekcionaremitter VoltageMax : 20 V Collector CurrentMax(E) : 5 ADCCurrent GainMin(h FE) :

Čips Vrata, osnovao u 2010., je profesionalac kupovinu B2 B & B2 C alat u elektronske komponente polje.Imamo više od 200,000 linije u dionice i oni mogu biti dostavljene u 1 do 3 posao dan

Podrške aplikaciju : Nema.Kanala : 1 Paket : Da.Bežični komunikacije : Žicu Kontrolu.Model broj : IRFB7437 PBF.Ako kupiš još količinu, Molimo vas da kontaktirate us Why direktno nas i

Mfr : STMicroelectronics.Serijal : Deep GATE, STrip FET VI.Paket : Cijev.Dio Stat: Zastario.FET Tip : NKanal.NKanal 80 A (Tc) 110 W (Tc) Kroz Rupu U 220 ABSpecifications : Mfr : STMicr

Channel Type : NS.Voltage Drainto Source : 30 V Odvodsource On ResistanceMax : 1.4 ?.Qg Gate Charge : 0.52 n C.Rated Power Dissipation(P) : 260 m W.NKanalu 30 V 1.4 Omska 0.52 n C Površinu

Channel Type : NS.Low Input Capacitance : 162 n f Noofchannels : 1 Voltage Drainto Source : 20 V Odvodsource On ResistanceMax : 0.21 ΩRated Power Dissipation(P) : 0.5 M; Qg Gate Charge : 5

RF510 PBF IRF510 Moć MOSFET NKanal Za 5,6 JE 100 V.Trenutna Rejting : Za 5,6 Je, Napon Ocijenjena : 100 V.Direkcije Za Puteve (O) : 0.54?.Ro HS Skladu : Da.Mosfet Tip : Nkanal, Slučaj / Pa

Napredna Proces Tehnologije.Dinamika dv / dp Rejting 175°C Operativni Temperaturu.Brzo Prebacivanje.U Potpunosti Lavina Ovan.Description IRF520 N Moć MOSFETPD 91339 AFifth Generacije HEXF

Dio NE : UCC27424 DGN.Paket : 8MSOPPower Pad.Opis : IC MOSFET DVR DVOJNO NJEGOVE 4 A 8MSOP.Dio NE : UCC27424 DGNPackage : 8MSOPPower Pad Description : IC MOSFET DVR DVOJNO NJEGOVE 4 A 8MSOPS

Predmet je dobar kvalitet.Obično Procjenjuje Isporuka Vrijeme : 724 dana(trackable) .Mi također pružamo Hitnom Isporuka službe koristiti DHL ili UPS : 27 dana.(bez rukovanje put).Ako red

Proizvode sve, serija mogu nas kontaktirati, da ti dam najnižu cijenu.Nadamo se da ćemo imati vašu narudžbu i da smo spremni da ti služimo.Da se osigura kvalitet, dugoročnu tim nakon p

Ova naprava su pogodne za srednju efikasnosti prekidač mode napajanje.Da smanji na državnom , pružamo nadređeni prebacivanje performansi, i da izdrži srednjoj energetski puls u lavina i

Dobrodošli Shenzhenu Zhensheng Tehnologija Co., Ltd.Naše proizvode su poslali iz Kine, i mi ćemo nositi teret.Možemo poslati robu u roku od tri dana ili brže.Logistike vrijeme je za 20

Cijena : Pakovanje 1 Order Jedinice : Kaseta Možda Polaritet : N Kanal; Odvod Izvor Napon Vds : 30 V; Kontinuirani Odvod Trenutni Id : 100 A; Na Otpor direkcije za puteve(o) : 0.0021 omska;

Predmet Uslov : Potpuno Novi 12 Mjeseci Kvalitet Garanciju.Pravi stvar kao što je pokazala fotografije.Nasumično pošaljem dio broj.NAPOMENA : Ljubazno uporediti tvoj originalni stvar sa f

Dio NE : MC33151 DG.Paket : 8SOIC N Opis : IC MOSFET VOZAČ DVOJNO NJEGOVE 8SOIC.Dio NE : MC33151 DGPackage : 8SOIC NDescription : IC MOSFET VOZAČ DVOJNO NJEGOVE 8SOICSupplier : SICSTOCKCon

Čips Vrata, osnovao u 2010., je profesionalac kupovinu B2 B & B2 C alat u elektronske komponente polje.Imamo više od 200,000 linije u dionice i oni mogu biti dostavljene u 1 do 3 posao dan

Mosfet Niz 2 PKanal (Dvojno) 20 V 530m A 400m W Površinu Mount SOT563 Product Specifikacija : Kategorija : Diskretno Poluprovodnički Proizvoda, Tranzistora FETs, MOSFETs Arrays Mfr : D

Mfr : Infineon Tehnologije.Serije .Paket : Odstraniti.Dio Stat: Zastario.Specifikacije : Mfr : Infineon Technologies Series : Paket : Bulk Part Stat: Obsolete Ro HS Stat: Ro HS noncom

Mfr : NA Poluprovodnički.Serije .Paket : Cijev.Dio Stat: Zastario.FET Tip : NKanal.NKanal 8.4 A (Tc) 36 W (Tc) Kroz Rupu U 220 FPSpecifications : Mfr : NA Semiconductor Series : Pake

RFP30 N06 LE 30 A, 60 V, ESD ocijenjena, lavina ocijenjena, 0.047 Omska, direkcije za puteve(O) = 0.047 Ω,2 KV ESD zaštićeni.FET Tip : Mosfet NKanal, metal oksid, a logika nivou vrata.Dob